DMG6898LSD
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 205°C/W
D = 0.02
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
t 2
T J A = P * R θ JA (t)
D = 0.005
-T
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
D = Single Pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim Min Max
A
- 1.75
E1 E
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A1
A2
A3
0.10 0.20
1.30 1.50
0.15 0.25
b
0.3 0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85 4.95
5.90 6.10
A2 A A3
h
45 °
7 °~ 9 °
Detail ‘A’
E1
e
h
L
3.85 3.95
1.27 Typ
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMG6898LSD
Document number: DS31947 Rev. 4 - 2
C2
C1
5 of 6
www.diodes.com
Y
C1
C2
1.55
5.4
1.27
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料
DMG6968U-7 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23
DMG6968UDM-7 MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26
DMG7401SFG-7 MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333
DMG7408SFG-7 MOSF N CH 30V 7A 3333-8
DMG7430LFG-7 MOSFET N CH 30V POWERDIA 3333-8
DMG7702SFG-7 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
DMG8601UFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
DMG8822UTS-13 MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP
相关代理商/技术参数
DMG6968LSD-13 功能描述:MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG6968U 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG6968U-7 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG6968UDM 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG6968UDM-7 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMG6968UQ-7 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low On-Resistance
DMG6968UTS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG6968UTS-13 功能描述:MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 30A IDM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube